文献类型：期刊文章

作　　者：周静[1] 刘静[2]

机构地区：[1]武汉理工大学 [2]中国建材科学研究院

出　　处：《武汉理工大学学报》

年　　份：2001

卷　　号：23

期　　号：9

起止页码：1-3

语　　种：中文

收录情况：AJ、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、EI(收录号：2002116885873)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：在不同温度基片上采用阴极磁控溅射法在玻璃上镀 ITO透明导电膜 ,采用 X射线衍射技术分析样品的结构随温度的变化情况 ,测量了样品的方块电阻、电阻率、霍尔迁移率、载流子浓度等电学性能和膜层的可见光透过率。基片温度为 180℃时 ,ITO膜 (2 2 2 )衍射峰很强 ,具有 [111]方向择优取向 ,随基片温度升高 ,(4 0 0 )、(4 40 )衍射峰增强 ,晶面随机取向增加 ,同时晶粒变大。

关 键 词：ITO膜 X射线分析 温度 薄膜结构  电性能 铟锡氧化物薄膜  

分 类 号：O484.5] TB383[物理学类]