文献类型：期刊文章

作　　者：葛秀涛[1] 刘杏芹[2]

机构地区：[1]滁州师范专科学校化学系,滁州239012 [2]中国科学技术大学材料科学与工程系,合肥230026

出　　处：《物理化学学报》

基　　金：安徽省教育厅自然科学基金资助项目

年　　份：2001

卷　　号：17

期　　号：10

起止页码：887-891

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、IC、INSPEC、JST、PUBMED、RCCSE、RSC、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：用化学共沉淀法制备了α－Ｆｅ２Ｏ３掺杂的Ｉｎ２Ｏ３纳米晶微粉，研究了α－Ｆｅ２Ｏ３掺杂对Ｉｎ２Ｏ３电导和气敏性能的影响．结果表明，α－Ｆｅ２Ｏ３和 Ｉｎ２Ｏ３间可形成有限固溶体Ｉｎ２－ｘＦｅｘＯ３（０≤ｘ≤０．４０）；Ｆｅ３＋对 Ｉｎ２Ｏ３晶格中Ｉｎ３＋格位的部分取代，大大增强了阴阳离子间的结合力，导致材料中氧空位Ｖｏｘ数骤降、自由电子的浓度变稀和电导下降．ｎ（Ｆｅ３＋）：ｎ（Ｉｎ３＋）＝５：５的共沉淀粉于 ８００℃下灼烧 ４ ｈ所得的 α－Ｆｅ２Ｏ３掺杂Ｉｎ２Ｏ３传感器元件，对 ４５μｍｏｌ·Ｌ－１Ｃ２Ｈ５ＯＨ的灵敏度达５４．０，为相同浓度干扰气体汽油的８倍多．

关 键 词：共沉淀  α-三氧化二铁  电导 C2H5OH 气敏性 半导体材料  氧化铟 掺杂

分 类 号：TB381[材料类]