文献类型：期刊文章

作　　者：王光辉[1] 郭康贤[1]

机构地区：[1]广州大学物理系,广州510405

出　　处：《光子学报》

基　　金：Natural Science Foundation of Guangdong Province and Guangzhou Committee of Science and Technology

年　　份：2001

卷　　号：30

期　　号：11

起止页码：1314-1317

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：本文主要研究了一个特殊非对称量子阱中的二阶非线性光学极化率 ,并且利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法导出了二次谐波极化率的解析表达式 .最后 ,以典型的 Ga As/ Al Ga As非对称量子阱为例作了数值计算 .数值结果表明 ,较大的二次谐波极化率与系统的非对称性有关 ,系统的非对称性越大 。

关 键 词：二次谐波极化率  非对称量子阱 密度矩阵方法 量子光学 二阶非线性光学极化率  

分 类 号：O431.2]