期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]中国科学院半导体研究所,北京100083
年 份:2000
卷 号:2
期 号:12
起止页码:34-39
语 种:中文
收录情况:JST、NSSD、RCCSE、ZGKJHX、普通刊
摘 要:就建设 10 0 0t电子级多晶硅厂的技术进行了探讨。对三氯氢硅法、四氯化硅法、二氯二氢硅法和硅烷法生产的多晶硅质量、安全性、运输和存贮的可行性、有用沉积比、沉积速率、一次转换率、生长温度、电耗和价格进行了对比 ;对还原或热分解使用的反应器即钟罩式反应器、流床反应器和自由空间反应器也进行了比较。介绍了用三氯氢硅钟罩式反应器法生产多晶硅三代流程。第三代多晶硅流程适于 10 0 0t/a级的电子级多晶硅生产。
关 键 词:电子级多晶硅 三氯氢硅法 半导体材料 硅烷法 生产工艺 钟罩式反应器
分 类 号:TN304.12]
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