文献类型：期刊文章

作　　者：刘磁辉[1] 朱俊杰[1] 林碧霞[1] 陈宇林[2] 彭聪[1] 杨震[1] 傅竹西[1]

机构地区：[1]中国科学技术大学物理系 [2]中国科学技术大学少年班,安徽合肥230026

出　　处：《发光学报》

基　　金：国家自然科学基金资助项目 ( 5 9872 0 37) ;安徽省自然科学基金资助项目 ( 986 415 5 0 )

年　　份：2001

卷　　号：22

期　　号：3

起止页码：218-222

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、INSPEC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用深能级瞬态谱 (DLTS)和光致发光谱 (PL) ,研究了ZnO/p Si异质结的两种不同温度 (85 0℃ ,10 0 0℃ )退火下的深能级中心。发现 85 0℃退火的样品存在 3个明显的深中心 ,分别为E1=Ev+0 2 1eV ,E2=Ev+0 44eV ,E3=Ev+0 71eV ;而 10 0 0℃退火样品仅存在一个E1=Ev+0 2 1eV的中心 ,且其隙态密度要比 85 0℃退火的大。同时 ,测量了两个样品的PL谱。发现 10 0 0℃退火可消除一些影响发光强度的深能级 ,对改善晶格结构 ,提高样品的发光强度有利。

关 键 词：深能级瞬态谱 DLTS PL谱 光致发光谱 发光强度 ZnO/p-Si异质结  半导体材料  深能级 氧化锌/磷-硅异质结  

分 类 号：O482.3]