文献类型：期刊文章

作　　者：林碧霞[1] 傅竹西[1] 贾云波[1] 廖桂红[2]

机构地区：[1]中国科学技术大学结构分析开放实验室,合肥230026 [2]中国科学技术大学物理系,合肥230026

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :5 9872 0 37);安徽省自然科学基金 (批准号 :9864 15 5 0 )资助的课题~~

年　　份：2001

卷　　号：50

期　　号：11

起止页码：2208-2211

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000172004100031)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000172004100031)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：用直流反应溅射方法在硅衬底上淀积了ZnO薄膜 ,测量它们的光致发光 (PL)光谱 ,观察到两个发光峰 ,峰值能量分别为 3 .18(紫外峰 ,UV)和 2 .3 8eV(绿峰 ) .样品用不同温度分别在氧气、氮气和空气中热处理后 ,测量了PL光谱中绿峰和紫外峰强度随热处理温度和气氛的变化 ,同时比较了用FP LMT方法计算的ZnO中几种本征缺陷的能级位置 .根据实验和能级计算的结果 ,推测出ZnO薄膜中的紫外峰与ZnO带边激子跃迁有关 ,而绿色发光主要来源于导带底到氧错位缺陷 (OZn)能级的跃迁 ,而不是通常认为的氧空位 (VO)、锌填隙 (Zni)或锌空位 (VZn)、氧填隙 (Oi) .

关 键 词：ZNO薄膜 热处理  光致发光光谱 缺陷能级  紫外发光中心  绿色发光中心  

分 类 号：O484.41]