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液相外延生长高质量大功率InGaAsP/GaAs半导体激光器研究 ( EI收录)
A STUDY ON HIGH-QUALITY HIGH POWER InGaAsP/ GaAs LASERS GROWN BY LIQUID PHASE EPITAXY
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室,吉林长春130022
年 份：2001
卷 号：22
期 号：2
起止页码：214-217
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2001296583022)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：用改进的液相外延法生长了大功率 In Ga As P/Ga As半导体激光器 ,实验测量和理论分析都表明用该方法生长的单量子阱分别限制异质结构 ,达到了设计要求 ,阈值电流密度为 30 0 A/cm2 ,斜率效率达 1 .32 W/A。
关 键 词：液相外延 大功率 半导体激光器 材料生长 INGAASP/GAAS 阈值电流密度 斜率效率
分 类 号：TN248.4]
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