文献类型：期刊文章

作　　者：任清褒[1] 张裕恒[2]

机构地区：[1]浙江丽水师范专科学校物理系,浙江丽水323000 [2]中国科技大学结构分析开发实验室,安徽合肥230026

出　　处：《低温物理学报》

年　　份：2001

卷　　号：23

期　　号：2

起止页码：89-93

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：本论文研究了多晶锰氧化物磁电阻和磁场的关系 .在低温和低场下 ,磁性纳米团簇的磁矩转动和晶粒边界的自旋二级隧穿对磁电阻起主要作用 ;在高于Tc 时 ,由磁化强度随温度关系的实验结果指出顺磁态中已出现铁磁团簇 ,因此它类似于磁性颗粒膜中的巨磁电阻(GMR)机制 ;在顺磁 铁磁相变区 ,既有颗粒贡献又有界面的隧道贡献 .这一理论模型与多晶La0 .82 5Sr0 .175MnO3中的实验结果很好地吻合 .

关 键 词：多晶钙钛矿锰氧化物  巨磁电阻CMR  磁场 磁性纳米团簇  磁化强度 自旋二级隧穿  

分 类 号：TM271[材料类]