文献类型：期刊文章

作　　者：张国斌[1] 施朝淑[1] 韩正甫[1] 石军岩[1] 林碧霞[2] Kirm M[3] Zimmerer G[3]

机构地区：[1]中国科学技术大学国家同步辐射实验室,安徽合肥230029 [2]中国科学技术大学物理系,安徽合肥230026 [3]Institut for experimental physik der university Hamburg

出　　处：《发光学报》

基　　金：国家自然基金资助项目 ( 198740 5 7及 5 9872 0 3 7)

年　　份：2001

卷　　号：22

期　　号：2

起止页码：157-159

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、INSPEC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用同步辐射真空紫外光研究了Si基沉积ZnO薄膜的发射光谱、激发光谱及其温度依赖。首次观测到高于ZnO禁带宽度的发射带 ( 2 90nm) ,并初步指定其来源。

关 键 词：光致发光 同步辐射  氧化锌 薄膜  半导体

分 类 号：O484.41] O472.3[物理学类]