文献类型：期刊文章

作　　者：马书懿[1] 秦国刚[2] 尤力平[2] 王印月[3]

机构地区：[1]西北师范大学物理系,兰州730070 [2]北京大学物理系,北京100871 [3]兰州大学物理科学与技术学院,兰州730000

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :5 9772 0 2 7);甘肃省教育委员会科研基金 (批准号 :981 17);西南石油学院油气藏地质及开发工程国家重点

年　　份：2001

卷　　号：50

期　　号：8

起止页码：1580-1584

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000170333200033)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000170333200033)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：分别以硅 二氧化硅和锗 -二氧化硅复合靶作为溅射靶 ,采用磁控溅射技术在p型硅衬底上淀积了含纳米硅的氧化硅薄膜和含纳米锗的氧化硅薄膜 .各样品分别在氮气氛中经过 30 0至 110 0℃不同温度的退火处理 .使用高分辨透射电子显微镜可以观察到经 90 0和 110 0℃退火的含纳米硅的氧化硅薄膜中的纳米硅粒 ,和经 90 0和 110 0℃退火的含纳米锗的氧化硅薄膜中的纳米锗粒 .经过不同温度退火处理的含纳米硅的氧化硅和含纳米锗的氧化硅薄膜的光致发光谱均具有相似的峰型 ,且它们的发光峰位均位于 5 80nm(2 .1eV)附近 .可以认为含纳米硅的氧化硅和含纳米锗的氧化硅薄膜的光发射主要来自于SiO2 层中发光中心上的复合发光 。

关 键 词：光致发光 纳米硅 纳米锗  发光中心 氧化硅薄膜

分 类 号：O482.31]