文献类型：期刊文章

作　　者：叶志镇[1] 陈汉鸿[1] 刘榕[1] 张昊翔[1] 赵炳辉[1]

机构地区：[1]浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：国家重大基础研究资助项目 (编号 :G2 0 0 0 0 683 -0 6)

年　　份：2001

卷　　号：22

期　　号：8

起止页码：1015-1018

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号：2002256980843)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积 C轴择优取向的 Zn O晶体薄膜 ,薄膜呈柱状结构 ,柱状晶直径约为10 0 nm,晶柱内为结晶性能完整的单晶 ,而晶界处存在较大的应力 .Zn O薄膜在 He- Cd激光器激发下有较强的紫外光发射 ,晶界应力引起 Zn O禁带宽度向长波方向移动 ,提高衬底温度有利于降低晶界应力和抑制深能级的绿光发射 .

关 键 词：薄膜  直流磁控溅射 光致发光光谱 氧化锌 PL谱

分 类 号：TN304.21]