文献类型：期刊文章

作　　者：许宁[1] 李富铭[1] Boo Bong-Hyung[2] Lee Jea-Kuang[2] Cho Han-Joung[2]

机构地区：[1]复旦大学光科学工程系三束材料改性国家重点实验室,上海200433 [2]DepartmentofChemistry

出　　处：《中国激光》

基　　金：国家自然科学青年基金 (编号 :6970 60 0 1)资助项目

年　　份：2001

卷　　号：28

期　　号：7

起止页码：661-663

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2002076862024)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：用 2 48nm的KrF准分子脉冲激光烧蚀ZnSe靶材沉积ZnSe薄膜。靶采用多晶ZnSe片 ,衬底采用抛光GaAs(10 0 )。衬底预处理采用化学刻蚀和高温处理。原子力显微镜 (AFM )观察显示在GaAs(10 0 )沉积的ZnSe薄膜的平均粗糙度为 3～ 4nm。X射线衍射 (XRD)结果表明ZnSe薄膜 (4 0 0 )峰的半高宽 (FWHM)为 0 4°～ 0 5°。对激光烧蚀团束的四极质谱分析表明烧蚀团束主要由Zn ,Se和 2Se组成 ,并由此推断ZnSe薄膜的二维生长模式。

关 键 词：激光烧蚀 二维生长模式  脉冲激光 锗化锌薄膜  

分 类 号：TN24] O484.1]