文献类型：期刊文章

作　　者：孙云[1] 王俊清[1] 杜兆峰[1] 舒保健[1] 于刚[1] 温国忠[1] 周祯华[1] 孙健[1] 李长健[1] 张丽珠[2]

机构地区：[1]南开大学光电子研究所,天津300071 [2]天津机电工业学校,天津300131

出　　处：《太阳能学报》

基　　金：天津市自然科学基金资助项目 !(9936 0 3711

年　　份：2001

卷　　号：22

期　　号：2

起止页码：192-195

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2001536784998)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用蒸发硒化方法制备了P型CIS(铜铟硒 )和CIGS(铜铟镓硒 )薄膜 ,用蒸发法制备N型CdS(硫化镉 ) ,二者组成异质PN结太阳电池。经退火处理 ,CIS和CIGS薄膜太阳电池的效率分别达到 8 83 %和 9 13 %。对制膜过程中衬底的选择 ,背电极的制备 ,CIS各元素蒸发控制和镓的掺入等工艺技术问题进行了深入的讨论 。

关 键 词：CIGS薄膜 太阳电池 转换效率  CIS

分 类 号：TM914.42]