文献类型：期刊文章

作　　者：杨志伟[1] 韩圣浩[1] 杨田林[2] 叶丽娜[1] 马洪磊[1] 韩锡贵[3]

机构地区：[1]山东大学光电材料研究所,济南250100 [2]淄博学院,淄博255091 [3]山东省科学院测试中心,济南250100

出　　处：《太阳能学报》

年　　份：2001

卷　　号：22

期　　号：3

起止页码：256-261

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2002146908330)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：用偏压磁控溅射法在水冷PPA(PolypropyleneAdipate)聚脂胶片上制备了性能优良的ITO(IndiumTinOxide)透明导电膜 ,对薄膜的光电性质进行了研究。制备样品的相对透过率为 80 %左右、最小电阻率为 6 .3× 10 -4 Ωcm ,与衬底附着良好。当衬底负偏压为 40V时 ,晶粒平均尺寸最大为 5 5nm ,相应地自由载流子霍耳迁移率有最大值为 89 3cm2 /Vs,薄膜的电阻率有最小值。X射线衍射表明薄膜为多晶纤锌矿结构 ,垂直于衬底的C轴具有 [2 2 2 ]方向的择优取向 ,随衬底负偏压的增大 ,沿 [4 0 0 ]方向生长的晶相减少。最佳衬底负偏压取值范围为 2 0～ 40V。XPS分析表明随衬底负偏压的增大 ,薄膜中的氧空位浓度最大 。

关 键 词：光电性质 溅射 柔性衬底 ITO膜

分 类 号：TN304.055]