期刊文章详细信息
采用MEMS技术制造硅磁敏三极管
Silicon megnetotran sistor by MEMS technology silicon transistor
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]黑龙江大学敏感技术研究所,黑龙江哈尔滨150080
基 金：国家自然科学基金资助项目! (60 0 760 2 7)
年 份：2001
卷 号：20
期 号：5
起止页码：49-52
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX2000、CSCD、CSCD2011_2012、核心刊
摘 要：阐述了采用MEMS技术与反外延技术相结合在硅片表面制造具有矩形板状立体结构的硅磁敏三极管的设计原理、结构和工艺。结果表明 ,设计的硅磁敏三极管制造技术不但能与IC工艺相兼容 ,而且便于集成化 ,将有广泛的应用领域。
关 键 词：MEMS技术 反外延技术 硅磁敏三极管
分 类 号：TN32]
参考文献：
正在载入数据...
二级参考文献：
正在载入数据...
耦合文献：
正在载入数据...
引证文献：
正在载入数据...
二级引证文献：
正在载入数据...
同被引文献：
正在载入数据...
