文献类型：期刊文章

作　　者：陈长虹[1] 易新建[1] 熊笔锋[1]

机构地区：[1]华中科技大学光电工程系,武汉430074

出　　处：《物理学报》

年　　份：2001

卷　　号：50

期　　号：3

起止页码：450-452

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2004057987042)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000167572500016)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000167572500016)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：VO2 薄膜是非致冷微测辐射热红外探测器热敏电阻材料 .研究中应用微电子工艺制备了VO2 溅射薄膜红外探测器 ,在 2 96K的环境中测试了该探测器在不同的直流偏置、光调制频率下对 873K标准黑体源 8— 12 μm红外辐射的光电响应以及器件的噪声电压 ,在 10和 30Hz的调制频率下其响应率分别大于 17kV/W和接近 10kV/W .该探测器实现了探测率D 大于 1 0× 10 8cmHz/W ,热时间常量为 0 0 11s的 8— 12

关 键 词：非致冷测辐射热探测器  红外探测器 二氧化钒 薄膜  光电响应

分 类 号：TN21]