期刊文章详细信息
PECVD生长氮化硅介质膜的工艺研究
Research on Technology for Si_3N_4 Thin Film Grown by PECVD
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]重庆光电技术研究所,重庆400060
年 份：2001
卷 号：22
期 号：3
起止页码：201-203
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：对PECVD生长氮化硅介质膜的工艺条件进行了实验研究 ,获得了生长氮化硅介质膜的最佳工艺条件 ,制作出了高质量的氮化硅介质膜。对样品进行了湿法腐蚀和超声实验 ,在显微镜下观察无膜脱落现象发生。阐述了几种工艺参数对介质膜生长的影响。
关 键 词：PECVD 氮化硅 薄膜 介质膜
分 类 号：TN304.24]
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