期刊文章详细信息
二氧化锡薄膜的最佳掺杂含量理论表达式
The Expression of Optimum Doping Content of Stannic Oxide Thin Films
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]河北工业大学应用物理系,天津300130
年 份：2001
卷 号：24
期 号：2
起止页码：132-135
语 种：中文
收录情况：CAS、INSPEC、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、普通刊
摘 要：二氧化锡薄膜应用广泛。本文讨论掺锑和掺氟的二氧化锡透明导电薄膜的最佳掺杂含量问题 ,建立模型并给出理论表达式 ,得出的最佳掺杂含量值与实验数据相符。
关 键 词：二氧化锡 最佳掺杂含量 薄膜 半导体材料
分 类 号：TN304.055]
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