文献类型：期刊文章

作　　者：朱文清[1] 刘祖刚[1] 唐春玖[1] 赵伟明[1] 蒋雪茵[1] 张志林[1] 许少鸿[1]

机构地区：[1]上海大学嘉定校区材料系,上海201800

出　　处：《半导体光电》

基　　金：国家自然科学基金资助项目!(6 96 0 6 0 0 4);上海市科委资助项目

年　　份：2001

卷　　号：22

期　　号：2

起止页码：82-86

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：使用PbMg1/ 3Nb2 / 3O3 PbTiO3 PbCd1/ 2 W1/ 2 O3三元系电容器瓷料 ,采用流延工艺成膜 ,丝网印刷内电极 ,在 930～ 950℃下低温烧结的方法制备了陶瓷衬底。陶瓷厚膜在室温下的相对介电常数εr>1.4× 10 4 ,损耗tanδ≈ 1% ,具有极高的品质因素 (大于等于 80 μC/cm2 )。理论分析了电致发光器件的阈值电压与绝缘介质特性的关系。直接在陶瓷厚膜上制备了MIS结构和MISIM结构的以陶瓷厚膜为绝缘层的ZnS

关 键 词：陶瓷厚膜 流延工艺  介质材料 电致发光器件 薄膜  

分 类 号：TN383.1]