期刊文章详细信息
P-N结器件模拟参数的确定
Determination of Parameters for P-N Junction Device Modeling
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]常德师范学院电磁理论研究所,常德415000
基 金：省教委高校科研青年项目!99B17
年 份：1999
卷 号：12
期 号：4
起止页码：27-29
语 种：中文
收录情况：IC、ZMATH、普通刊
摘 要：在给出半导体器件模拟基本方程的基础上，为减少模拟过程中的运算量，对模拟中所需的参数在何种状况下才开始起作用加以讨论。如载流子的雪崩系数，只有当电场强度达到某一值时才会考虑由于碰撞电离而引起的电子和空穴的产生，即载流子的雪崩系数，从而影响载流子的产生率。同时还给出了载流子的复合率、迁移率、本征载流子浓度、能带宽度、热传导系数随电场或温度的变化规律。
关 键 词：P-N结 器件模拟 参数 半导体器件 雪崩系数 复合率 迁移率 热传导系数
分 类 号：O475]
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