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能带的立方对称哈密顿量对零禁带半导体材料的动力学介电常数的影响 ( EI收录)
Contribution of the Cubic Term of Energy Band Hamiltonian to the Dielectric Function in Zero Gap Semiconductors
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]深圳大学光电技术工程系 [2]桂林电子工业学院
基 金：国家自然科学基金资助项目
年 份：1989
卷 号：6
期 号：1
起止页码：46-53
语 种：中文
收录情况：AJ、CAS、CSA-PROQEUST、EI、IC、INSPEC、JST、MR、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、ZMATH、普通刊
摘 要：本文讨论了零禁带半导体材料的能带立方对称哈密顿量对动力学介电常数的影响,用了微扰论的方法将立方对称项看成微扰项进行计算,结果表明:立方对称项的一阶微扰和高阶微扰计算不改变零禁带半导体的介电常数奇异性质。修正量在5～10%之间,其大小视材料而定。
关 键 词：半导体 介电常数 微扰论 零禁带 能带 哈密顿量
分 类 号：O47]
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