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多孔硅的电致发光研究 ( EI收录)
Study on Visible Electroluminescence from Porous Silicon
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433
出 处：《Journal of Semiconductors》
基 金：863青年基金
年 份：1993
卷 号：14
期 号：3
起止页码：139-142
语 种：中文
收录情况：AJ、BDHX、BDHX1992、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：本文研究了多孔硅的电致发光现象。在多孔硅上淀积了半透明金膜后,当正向偏压加到15V、电流密度100mA/cm^2时,观察到了稳定的电致可见光发射现象。伏安曲线的测量表明它有明显的类似二极管的整流特性。
关 键 词：硅 多孔硅 电致发光
分 类 号：TN304.12]
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