文献类型：期刊文章

作　　者：曾锡瑞[1,2] 张勇[1] 游效曾[1]

机构地区：[1]南京大学配位化学研究所,国家重点实验室,南京210093 [2]井冈山师范学院化学系

出　　处：《物理化学学报》

年　　份：2001

卷　　号：17

期　　号：4

起止页码：361-363

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、IC、INSPEC、JST、PUBMED、RCCSE、RSC、SCI(收录号：WOS:000168268900016)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000168268900016)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：通过单晶测定和理论研究阐述了过氧草酸酯化学发光中取代基的影响 .几种典型的芳基草酸酯所 观察的化学发光效率随着羰基碳原子的正电荷增加而递增 .通过电子密度函数的计算印证了芳基草酸酯 对过氧化氢亲核进攻的活泼性 .

关 键 词：化学发光 晶体结构 过氧草酸酯  密度数计算  取代基影响  

分 类 号：O621]