期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]大连铁道学院电气工程系,辽宁大连116028 [2]日本千叶大学
年 份:2001
卷 号:22
期 号:1
起止页码:64-68
语 种:中文
收录情况:普通刊
摘 要:采用有机半导体材料铜酞化氰和肖特基形栅极静电感应三极管结构制作有机薄膜三极管并对其电气特性进行了测试评价.制作的肖特基栅极有机SIT与MOSFET相比导电沟道长大幅缩短,而且通过适当的梳状电极结构设计,获得了良好的动作特性.有机SIT的动作特性与栅极偏压和梳状栅极的结构有很强的关系.
关 键 词:铜酞化氰 有机半导体 蒲膜三极管 电气特征
分 类 号:TN32]
参考文献:
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