期刊文章详细信息
MOSFET和IGBT性能的比较
Comparison between MOSFET and IGBT
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]黑龙江省电信技术支援中心,黑龙江哈尔滨150080
年 份：2001
期 号：1
起止页码：37-38
语 种：中文
收录情况：普通刊
摘 要：介绍MOSFET和IGBT的基本原理和特性,并对它们的性能进行了比较。
关 键 词：MOSFET LGBT 性能 场效应晶体管
分 类 号：TN386.1] TN32
参考文献：
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引证文献：
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同被引文献：
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