期刊文章详细信息
一种高PSR CMOS带隙基准电路设计
Design of CMOS bandgap voltage reference circuit with high PSR
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]北方工业大学微电子研究中心,北京100144
年 份：2014
卷 号：37
期 号：13
起止页码：153-155
语 种：中文
收录情况：IC、RCCSE、ZGKJHX、普通刊
摘 要：为了降低芯片电路功耗，电源电压需要不断的减小，这将导致电源噪声对基准电压产生严重影响。为此针对这一问题进行相关研究，采用SMIC 0.18μm工艺，设计出一种低功耗、低温度系数的高PSR带隙基准电压源。仿真结果表明，该设计带隙基准源的PSR在50 kHz与100 kHz分别为-65.13 dB和-53.85 dB；在2-6 V电源电压下，工作电流为30μA，温度系数为30.38 ppm/℃，电压调整率为71.47μV/V。该带隙基准适用于在低功耗高PSR性能需求的LDOs电路中应用。
关 键 词：带隙基准电压 低功耗 电源抑制 电路设计
分 类 号：TN402.34]
参考文献：
正在载入数据...
二级参考文献：
正在载入数据...
耦合文献：
正在载入数据...
引证文献：
正在载入数据...
二级引证文献：
正在载入数据...
同被引文献：
正在载入数据...
