文献类型：期刊文章

作　　者：黄春跃[1] 梁颖[2] 熊国际[1] 李天明[3] 吴松[1]

机构地区：[1]桂林电子科技大学机电工程学院,广西桂林541004 [2]成都航空职业技术学院电子工程系,四川成都610021 [3]桂林航天工业学院汽车与动力工程系,广西桂林541004

出　　处：《电子元件与材料》

基　　金：广西壮族自治区自然科学基金资助项目(No.2012GXNSFAA053234;2013GXNSFAA019322);四川省教育厅科研资助项目(No.13ZB0052)

年　　份：2014

卷　　号：33

期　　号：7

起止页码：85-90

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD_E2013_2014、INSPEC、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：建立了3D-TSV(硅通孔)互连结构三维有限元分析模型,对该模型进行了热-结构耦合条件下的应力应变有限元分析,研究了TSV高度和直径对3D-TSV互连结构温度场分布及应力应变的影响。结果表明:随着TSV高度和直径的增大,3D-TSV叠层芯片封装整体、焊球、间隔层、芯片和TSV及微凸点处的最高温度均逐渐降低,TSV高度和直径的增加在一定程度上有利于降低封装体各部分最高温度;随着TSV高度的增加,TSV及微凸点互连结构内的应力应变呈增大趋势。

关 键 词：三维叠层芯片封装  硅通孔  热-结构耦合分析  温度场 有限元分析 应力应变

分 类 号：TN405]