文献类型：期刊文章

作　　者：陈光华[1] 吴现成[1] 贺德衍[1]

机构地区：[1]兰州大学物理系

出　　处：《无机材料学报》

基　　金：国家自然科学基金资助项目!(19874007)

年　　份：2001

卷　　号：16

期　　号：2

起止页码：377-380

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、DOAJ、EI、IC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000167638500031)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000167638500031)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用射频等离子体增强化学气相沉积（ＣＶＤ）＋负偏压热丝辅助方法直接在Ｓｉ（１００）衬底上制备了多晶Ｃ３Ｎ４薄膜．Ｘ射线衍射测试表明，薄膜同时含有α－和βＣ３Ｎ４晶相以及未知结构，没有观测到石墨衍射峰．利用扫描电子显微镜观测到线度约２μｍ、横截面为六边形的β－Ｃ３Ｎ４晶粒．纳米压痕法测得薄膜的硬度达７２．６６ ＧＰａ．

关 键 词：化学气相沉积 氮化碳 薄膜  扫描电镜 硬度  结构  制备  

分 类 号：O484] TB43[物理学类]