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期刊文章详细信息

氧分压对溅射制备氧化镓薄膜结构及光学带隙的影响  ( EI收录)  

Effect of oxygen pressure on structure and optical band gap of gallium oxide thin films prepared by sputtering

  

文献类型:期刊文章

作  者:马海林[1] 苏庆[2]

机构地区:[1]兰州交通大学,国家绿色镀膜技术与装备工程技术研究中心,兰州730070 [2]兰州大学,物理科学与技术学院,兰州730000

出  处:《物理学报》

基  金:兰州交通大学青年科学基金(批准号:2011037)资助的课题~~

年  份:2014

卷  号:63

期  号:11

起止页码:230-234

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号:20142517852799)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号:WOS:000338747800031)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘  要:在不同氧分压η(η=O2/[Ar+O2])实验条件下,通过直流反应溅射制备了氧化镓薄膜,然后在真空环境下进行高温再结晶热处理.用紫外-可见分光光度计(UV-Vis)研究了氧分压η对光学带隙Eg的影响.X射线衍射(XRD)和共聚焦拉曼散射光谱(Raman Scattering)分析显示:经900℃高温热处理后,薄膜呈结晶β相氧化镓,且晶粒尺寸随着氧分压的逐渐增加而变大.室温下由UV-Vis测试薄膜透过率并利用Tauc公式计算得到样品的光学带隙Eg在4.68—4.85 eV之间,且随氧分压η的逐渐增加而变大.

关 键 词:氧化镓 光学带隙 磁控溅射

分 类 号:O484.41]

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同被引文献:

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