文献类型：期刊文章

作　　者：黄瑞志[1] 曲崇[1] 李清山[1] 张立春[1] 张忠俊[1] 张敏[1] 赵风周[1]

机构地区：[1]鲁东大学物理与光电工程学院,山东烟台264025

出　　处：《光电子．激光》

基　　金：国家自然科学基金(11144010);山东省自然科学基金(ZR2010AL026)资助项目

年　　份：2014

卷　　号：25

期　　号：6

起止页码：1058-1062

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号：20142817935998)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、核心刊

摘　　要：利用脉冲激光沉积(PLD)方法在p-GaN衬底上沉积了n-ZnO薄膜,构造了n-ZnO/p-GaN异质结型紫外(UV)光-电探测器原型器件,在(UV)光照条件下测试了器件的光电性能。扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)测试结果表明,ZnO薄膜具有很好的结晶质量;I-V曲线显示,器件在黑暗和光照环境下都表现出明显的整流行为;光谱响应曲线表明,器件响应度峰值出现在364nm附近,当反向电压为-5V时光电流达到饱和,此时响应度峰值达到1.19A/W。不同反向工作电压下的光谱探测率曲线表明,器件对364nm附近的UV光有较强的选择性,在-2V偏压下具有最佳的探测率,其探测率峰值达到8.9×1010 cm·Hz1/2/W。

关 键 词：探测器 ZNO 异质结 响应度

分 类 号：O472.8]