期刊文章详细信息
充放电电容检测电路中电荷注入影响的补偿
The Effect and Compensation of Charge Injection Capacitance for Charge/Discharge Capacitance Measuring Circuits Used in Electrical Capacitance Tomography
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]沈阳工业学院电子系,辽宁沈阳110045 [2]东北大学信息学院 [3]沈阳市锅炉压力容器检验研究所
基 金：国家自然科学基金资助项目!( 59674 0 1 6)
年 份：2000
卷 号：19
期 号：4
起止页码：16-20
语 种：中文
收录情况：普通刊
摘 要：在电容成像系统中 ,由于采用充放电电容检测电路 ,从而存在着 CMOS模拟转换开关所带来的电荷注入问题 .这里给出一种补偿方法 ,使得可以通过充放电电路本身来测得的电荷注入电容得到补偿 ,并经过实验证明了这种补偿的有效性 .
关 键 词：电容成像系统 电荷注入电容 充放电电容检测电路 CMOS模拟转换开关
分 类 号：TM934.2]
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