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期刊文章详细信息

氩气流速对400mm大直径磁场直拉单晶硅固液界面、热应力及氧含量的影响  ( EI收录)  

Influence of Argon Flow Rate on the Solid/Liquid Interface,Thermal Stress and Oxygen Concentration in the 400 mm CZ Silicon with a Magnetic Field

  

文献类型:期刊文章

作  者:李进[1] 张洪岩[1] 高忙忙[1] 周锐[2] 薛子文[1] 梁森[1] 李国龙[1] 李海波[1] 何力军[1]

机构地区:[1]宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室,银川750021 [2]银川隆基硅材料有限公司,银川750021

出  处:《人工晶体学报》

基  金:国家自然科学基金(61366006);宁夏自治区2012科技支撑计划项目;2012宁夏留学回国人员择优资助项目;宁夏大学科技开发及应用基金(NDKF11-1)

年  份:2014

卷  号:43

期  号:5

起止页码:1193-1198

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号:20142617866784)、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:大直径化是太阳能光伏用单晶硅发展的趋势之一。由于炉体结构的增大,炉内气体流场的变化对晶硅生长过程产生了一定的影响。本文采用CGSim晶体生长软件,系统分析了氩气进口流速对固液界面,热应力和晶体氧含量的影响。结果表明,随氩气流速的增加,固液界面高度逐渐下降,当氩气流速为中等范围时,固液界面波动最低,有利于提高拉晶过程的稳定性;另一方面,三相交界处热应力最大值随氩气流速的增加而降低,固液界面热应力波动幅度随氩气流速的增加而增加,综合两方面考虑,确定采用中等氩气流速(0.9—1.5m·s-1)工艺可有效避免断晶等缺陷的发生。同时,在中等氩气流速范围内,晶体中心处的氧含量下降至6.55×10^17m/cm3(氩气流速为1.5m·s-1时),与低氩气流速时相比,氧含量降低了18%。

关 键 词:单晶硅 氩气流场  固液界面 氧含量

分 类 号:O782.5]

参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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