文献类型：期刊文章

作　　者：熊礼威[1,2] 崔晓慧[1,2] 汪建华[1,2] 龚国华[1,2] 邹伟[1,2]

机构地区：[1]武汉工程大学材料科学与工程学院,武汉430074 [2]湖北省等离子体化学与新材料重点实验室,武汉430074

出　　处：《表面技术》

基　　金：国家自然科学基金项目(11175137);湖北省教育厅科学技术研究项目(Q20121501);武汉工程大学科学研究基金(11111051)~~

年　　份：2014

卷　　号：43

期　　号：3

起止页码：6-9

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2013_2014、EI、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：目的研究纳米金刚石薄膜生长掺硼的内在机理,实现对该过程的精确控制。方法采用微波等离子体化学气相沉积法,以氢气稀释的乙硼烷为硼源,进行纳米金刚石薄膜的生长过程掺硼实验,研究硼源浓度对掺硼纳米金刚石薄膜晶粒尺寸、表面粗糙度、表面电阻和表面硼原子浓度的影响。结果随着硼源浓度的增加,纳米金刚石薄膜的表面粗糙度和晶粒尺寸增大,表面电阻则先下降,而后趋于平衡。结论纳米金刚石薄膜掺硼后,表面电导性能可获得改善,表面粗糙度和晶粒尺寸则会增大。在700℃条件下掺硼15 min,最佳的硼源浓度(以硼烷占总气体流量的百分比计)为0.02%。

关 键 词：纳米金刚石薄膜 掺硼 硼源浓度  化学气相沉积

分 类 号：TG174.444] TB43]