文献类型：期刊文章

作　　者：郑丽霞[1,2] 吴金[1] 张秀川[3] 涂君虹[1] 孙伟锋[2] 高新江[3]

机构地区：[1]东南大学无锡分校,无锡214135 [2]东南大学国家ASIC工程中心,南京210096 [3]中国电子科技集团第44研究所,重庆400060

出　　处：《物理学报》

基　　金：江苏省自然科学基金(批准号:BK2012559)资助的课题~~

年　　份：2014

卷　　号：63

期　　号：10

起止页码：218-226

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号：20142217774935)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000338741800030)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：针对InGaAs单光子雪崩光电二极管(SPAD)的光电感应特性,研究了基于门控主动式淬灭的SPAD动态偏置控制和电路实现的策略.采用门控主动淬灭控制可降低淬灭时间,有效抑制暗计数和后脉冲效应.接口感应检测电路采用标准互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺进行制造,而SPAD则采用非标准CMOS工艺.利用铟柱互连混合封装工艺实现SPAD与感应接口电路的协同工作.在低温-30?C的条件下,实现了SPAD光触发雪崩电流信号的提取和快速淬灭.研究了感应电阻和临界检测电压对传感检测电性能的影响,并采用简单电路结构实现状态检测,实测得到的SPAD恢复时间、传输延时分别为575,563 ps,淬灭时间为1.88 ns,满足纳秒级精度传感检测应用的需要.

关 键 词：单光子雪崩二极管  盖革模式 门控 主动淬灭  

分 类 号：TN312.7]