文献类型：期刊文章

作　　者：华艳[1] 朱祚缤[1] 刘艺琴[1] 罗小兵[1]

机构地区：[1]四川大学原子核科学技术研究所,成都610064

出　　处：《核电子学与探测技术》

年　　份：2014

卷　　号：34

期　　号：1

起止页码：86-88

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD_E2013_2014、JST、SCOPUS、核心刊

摘　　要：探测效率是高纯锗谱仪的重要性能指标,探测器的效率刻度具有重要的意义。针对新购置的高纯锗谱议,采用多线法和距离变换相结合的实验方法,刻度了高纯锗探测器在不同源距下的全能峰效率曲线,并利用厂家提供的探头结构尺寸,采用MCNP5程序模拟计算了该探测器对不同能量γ射线的全能峰效率。将模拟计算效率和实验效率进行对比,模拟计算的全能峰效率和实验测定的全能峰效率具有一定偏差,经分析偏差主要原因是探测器内部结构尺寸不够精确,通过调节死层厚度和冷指尺寸,使得模拟计算效率和实验效率很好符合。

关 键 词：高纯锗 效率刻度 MCNP 多线法  

分 类 号：TL812]