文献类型：期刊文章

作　　者：仝蒙[1] 傅蔡安[1] 季坤[2] 叶君剑[3]

机构地区：[1]江南大学机械工程学院,江苏无锡214122 [2]牧羊集团,江苏扬州225000 [3]中国船舶重工集团公司第七0二研究所,江苏无锡214100

出　　处：《热加工工艺》

年　　份：2014

卷　　号：43

期　　号：10

起止页码：121-124

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CSCD、CSCD2013_2014、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：IGBT模块作为重要的高频大功率开关元器件,频繁的热循环导致其层状模块结构钎焊焊层内产生热应力,使得焊层开裂脱落,进而引起IGBT模块芯片温度过高失效。颗粒增强相金属基复合材料(SiCP/Al)基板由于其较高的热导率和与IGBT封装材料相匹配的热膨胀系数,能解决IGBT模块这一主要失效难题。采用预制块压力渗透法制备铝基碳化硅基板:将SiC颗粒进行表面金属化预处理,熔融铝液在700℃下保温30 min,预热模具温度设定600℃。压力渗透后脱模成型的铝基碳化硅基板,其热导率与热膨胀系数测试值均符合基板材料的性能要求。

关 键 词：IGBT 铝基碳化硅基板  表面金属化 热膨胀系数

分 类 号：TG113.2]