文献类型：期刊文章

作　　者：李志军[1,2] 曾以成[2] 谭志平[2]

机构地区：[1]湘潭大学信息工程学院,湘潭411105 [2]湘潭大学光电工程系,湘潭411105

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:61176032)资助的课题~~

年　　份：2014

卷　　号：63

期　　号：9

起止页码：401-407

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号：20142117743761)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000337348400051)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：本文根据惠普忆阻器模型提出了一个新的接地忆阻器模拟等效电路.并以此为基础,采用常规的电子元件构建了一个通用的记忆器件模拟器.该模拟器能在电路拓扑结构不变的情况下,通过改变接入元件的性质能将接地忆阻器分别转化为浮地忆阻器、浮地忆感器和浮地忆容器.由于该模拟器是浮地的,因而可以方便的与其他电子器件实现灵活的连接形式.Pspice仿真实验验证了模拟器的真确性和有效性.

关 键 词：记忆器件  收缩迟滞曲线  浮地  模拟器

分 类 号：TM13]