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非制冷红外探测器用VO_x薄膜的制备
Preparation of VO_x Films for Uncooled Infrared Detectors
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]重庆光电技术研究所,重庆400060
年 份：2001
卷 号：22
期 号：1
起止页码：38-40
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：介绍了一种采用反应溅射工艺 ,通过控制不同气氛的分布制备VOx 薄膜的方法 ,并制备出电阻温度系数 (TCR)优于 - 2 %的非制冷红外探测器用VOx 薄膜。其XPS、XRD分析结果表明 ,薄膜的生长情况与制备工艺条件有密切关系。
关 键 词：非制冷红外探测器 VOx薄膜 反应溅射 电阻温度系数
分 类 号：TN215] O484.1]
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