文献类型：期刊文章

作　　者：王健安[1] 谢家志[1] 赖凡[1]

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060

出　　处：《微电子学》

年　　份：2014

卷　　号：44

期　　号：2

起止页码：225-228

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2011、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2013_2014、IC、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：对微电子器件抗辐射加固的发展态势进行了分析研究。目前,对微电子器件进行抗辐射加固的主要技术是抗辐射加固设计和抗辐射加固工艺;微电子技术的进步促进了抗辐射加固的新设计技术、新工艺技术、封装技术和试验手段不断发展,刺激了完整有效的设计、验证体系和制造能力的形成;领先国家的技术发展重点在于加强设计、工艺、制造领域的抗辐射加固能力,提升微电子器件的抗辐射加固指标、容错能力和高可靠性品质。研究结果对建立完整的抗辐射加固体系,加速抗辐射加固技术发展具有一定的参考价值。

关 键 词：微电子器件 抗辐射加固 SOI SIGE

分 类 号：TN406]