文献类型：期刊文章

作　　者：李岩[1,2] 邹陆一[1] 任爱民[1]

机构地区：[1]吉林大学理论化学研究所,理论与计算化学重点实验室,长春130023 [2]吉林化工学院化学与制药工程学院物理化学系,吉林吉林132022

出　　处：《物理化学学报》

基　　金：supported by the National Natural Science Foundation of China (21173099, 20973078, 20673045);National Key Basic Research Program of China (973) (2013CB834801);Special Funding to Basic Scientific Research Projects for Central Universities, China~~

年　　份：2014

卷　　号：30

期　　号：5

起止页码：855-865

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、EBSCO、IC、INSPEC、JST、PUBMED、RCCSE、RSC、SCI(收录号：WOS:000335580500008)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000335580500008)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：用密度泛函理论(DFT)方法研究了基于苯并噻二唑和硅芴的一系列聚合物的基态和激发态结构、传输和荧光性质.聚合物的能隙、电离能、电子亲和势、最低激发能以及吸收光谱通过外推法得到.结果表明空穴、电子注入和传输性质受苯并噻唑在硅芴上的位置以及正丁基在噻吩上的位置影响很大.(SiF2-DHTBT1-m)n和(SiF1-DHTBT1-m)n(SiF和DHTBT分别代表硅芴和4,7-二(2-噻吩基)-2,1,3-苯并噻二唑)表现出较好的空穴和电子注入性质,而(SiF1-DHTBT1-o)n和(SiF1-DHTBT1-p)n的电荷注入性质较差.除(SiF1-DHTBT1-o)n外,聚合物的荧光光谱处于红光范围.

关 键 词：密度泛函理论 空穴和电子注入  外推法 聚合物  SIF

分 类 号：O621.2]