文献类型：期刊文章

作　　者：郑树文[1] 范广涵[1] 张涛[1] 皮辉[1] 俆开放[1]

机构地区：[1]华南师范大学光电子材料与技术研究所,微纳光子功能材料与器件重点实验室,广州510631

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:61176043);广东省战略性新兴产业专项资金(批准号:2012A080304016);华南师范大学青年教师培育基金(批准号:2012KJ018)资助的课题~~

年　　份：2014

卷　　号：63

期　　号：8

起止页码：367-376

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号：20141917700464)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000336090200048)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：利用密度泛函理论的平面波超软赝势方法,对纤锌矿T M_(0.125)Zn_(0.875)O(TM=Be,Mg)合金和Ga掺杂T M_(0.125)Zn_(0.875)O的结构参数、能带、电子态密度和光学能隙进行计算和分析,结果表明:T M_(0.125)Zn_(0.875)O掺入Ga容易实现并且结构更稳定,T M_(0.125)Zn_(0.875)O合金掺Ga能获得很好的n型材料改性,能隙由导带底Ga 4s态和价带顶O 2p态决定,由于Bllrstein-Moss移动和多体效应,Ga掺杂后的T M_(0.125)Zn_(0.875)O光学能隙变大,这与实验结果相一致,T M_(0.125)Zn_(0.875)O掺Ga材料可作透明导电薄膜应用到紫外和深紫外光电子器件中。

关 键 词：密度泛函理论 光学能隙  Ga掺杂  Beo.125Zn0.8750和Mg0.125Zn0.8750  

分 类 号：O483]