文献类型：期刊文章

作　　者：王现彬[1,2] 赵正平[1,2] 冯志红[2]

机构地区：[1]河北工业大学信息工程学院,天津300130 [2]专用集成电路国家级重点实验室,石家庄050051

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:61306113)资助的课题~~

年　　份：2014

卷　　号：63

期　　号：8

起止页码：9-16

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号：20141917700418)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000336090200002)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程,较系统地研究了GaN沟道层、AlGaN背势垒层、Si掺杂和AlN插入层对N极性GaN/AlGaN异质结中二维电子气(2DEG)的影响,分析表明,GaN沟道层厚度、AlGaN背势垒层厚度及Al组分变大都能一定程度上提高二维电子气面密度,AlGaN背势垒层的厚度和Al组分变大也可提高二维电子气限阈性,且不同的Si掺杂形式对二维电子气的影响也有差异,而AlN插入层在提高器件二维电子气面密度、限阈性等方面表现都较为突出,在模拟中GaN沟道层厚度小于5nm时无法形成二维电子气,超过20nm后二维电子气面密度趋于饱和,而AlGaN背势垒厚度超过40nm后二维电子气也有饱和趋势,对均匀掺杂和delta掺杂而言AlGaN背势垒层Si掺杂浓度超过5×10^(19)cm^(-3)后2DEG面密度开始饱和,而厚度为2nmAlN插入层的引入会使2DEG面密度从无AlN插入层时的0.93×10^(13)cm^(-2)提高到1.17×10^(13)cm^(-2)。

关 键 词：N极性  GaN/AlGaN异质结  二维电子气 限阈性  

分 类 号：TN304.2]