文献类型：期刊文章

作　　者：黄玲[1] 姜岩峰[1] 鞠家欣[1] 韩智毅[2] 张慧泉[2] 陈冠旭[2]

机构地区：[1]北方工业大学微电子研究中心 [2]北京华芯微特科技有限公司

出　　处：《电子世界》

年　　份：2014

期　　号：9

起止页码：20-21

语　　种：中文

收录情况：INSPEC、普通刊

摘　　要：本文设计一种12bit CMOS全差分SAR ADC,分析了其电路原理和结构,阐述各部分电路对ADC性能的影响,提出新型DAC_SUB电阻串和时间自调节比较器结构,并推算VCM抖动对电路的影响。基于TSMC 0.18μm 1.8V/3.3V CMOS工艺,采用全差分阻容混合式结构,实现ADC设计。本设计ADC的核心版图尺寸为390um×780um,测试结果显示,在1MS/s采样率下,当输入信号频率为31.37kHz时,该ADC的ENOB达到10.76Bit,功耗约为2mW。

关 键 词：A  D转换器  逐次逼近  全差分 阻容混合  自调节比较器  

分 类 号：TN929.11]