文献类型：期刊文章

作　　者：闫万珺[1,2] 张忠政[1] 郭笑天[1,2] 桂放[1] 谢泉(指导)[2] 周士芸[1] 杨娇[1]

机构地区：[1]安顺学院电子与信息工程学院,航空电子电气与信息网络工程中心,功能材料与资源化学特色重点实验室,贵州安顺561000 [2]贵州大学电子信息学院,新型光电子材料与技术研究所,贵州贵阳550025

出　　处：《光学学报》

基　　金：国家自然科学基金(61264004);贵州省科技厅自然科学基金(20102001);贵州省教育厅科研项目(2012056;2011278)

年　　份：2014

卷　　号：34

期　　号：4

起止页码：183-189

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2011、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号：20142117743270)、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用第一性原理赝势平面波方法,对V-Al共掺杂CrSi2的几何结构、电子结构和光学性质进行了理论计算,并与未掺杂、V、Al单掺杂CrSi2的光电性能进行了比较。结果表明:V-Al共掺杂会增大CrSi2的晶格常数a和b,体积相应增大。V-Al:CrSi2是p型间接带隙半导体,带隙宽度为0.256eV,介于V、Al单掺杂CrSi2之间;费米能级附近的电子态密度主要由Cr-3d、V-3d、Si-3p、Al-3p轨道杂化构成。与未掺杂的CrSi2相比,V-Al:CrSi2的静态介电常数和折射率增大,εi(ω)在低能区有一个新的跃迁峰。在光子能量为5eV附近,εi(ω)的跃迁峰强度大幅减弱,吸收系数和光电导率明显降低,吸收边略有红移,平均反射效应减弱。V的掺入会削弱Al单掺杂的电子跃迁,V-Al共掺杂可以对CrSi2的能带结构和光学性质进行更精细的调节。

关 键 词：材料  V—Al共掺杂CrSi2  电子结构 光学性质 第一性原理

分 类 号：O474] O472.4[物理学类]