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纳米WO_3-ZnS系H_2S气敏元件的研究
Study on H_2S gas sensor of WO_3-ZnS nanosized material
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]福州大学气敏传感器研究所,福建福州350002
年 份：2001
卷 号：20
期 号：1
起止页码：21-22
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX2000、CSCD、CSCD2011_2012、ZGKJHX、核心刊
摘 要：以纳米WO3 材料 ,分别掺入SnO2 、ZnS ,制备成H2 S气敏元件。实验表明 ,当WO3 掺入适量ZnS ,元件对H2
关 键 词：纳米 气敏元件 氧化钨 硫化锌 硫化氢
分 类 号：TP212] TB383]
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