期刊文章详细信息
不同基底的ITO薄膜制备及其光电性能
Preparation and photoelectric properties of ITO thin films deposited on different substrates
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]大连工业大学新能源材料研究所,辽宁大连116034 [2]锦州新世纪石英(集团)有限公司,辽宁锦州121000 [3]长春天然气有限责任公司,吉林长春130033
基 金:国家高技术研究发展计划(863计划)项目(2006AA05Z417);辽宁省教育厅重点实验室科技项目(2008S017)
年 份:2014
卷 号:33
期 号:2
起止页码:135-138
语 种:中文
收录情况:AJ、BDHX、BDHX2011、CAB、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、FSTA、IC、PROQUEST、ZGKJHX、核心刊
摘 要:采用脉冲磁控溅射法在石英基底和柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)上分别制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)对不同基底上ITO薄膜的微观结构及表面形貌进行了对比分析,并且研究了溅射气压、溅射时间和衬底温度等工艺条件对不同基底上制备的ITO薄膜的光透过率和光电性能的影响。结果表明,相同工艺条件下,石英玻璃上ITO薄膜的最佳方块电阻为13.3Ω,可见光透过率为91%;PET上ITO薄膜的最佳方块电阻为15Ω,可见光透过率为85%。二者相比,石英基底上ITO薄膜的光电性能更佳,膜表面的致密度、均匀性更好。
关 键 词:脉冲磁控溅射 石英 PET 氧化铟锡薄膜
分 类 号:TB321[材料类]
参考文献:
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