文献类型：期刊文章

作　　者：宋凌云[1] 蔡春锋[1] 刘博智[1] 胡炼[1] 张兵坡[1] 吴剑钟[2] 毕刚[2] 吴惠桢[1]

机构地区：[1]浙江大学物理学系,硅材料国家重点实验室,浙江杭州310027 [2]浙江大学城市学院,浙江杭州310015

出　　处：《光谱学与光谱分析》

基　　金：国家自然科学基金项目(11374259)资助

年　　份：2014

卷　　号：34

期　　号：4

起止页码：898-902

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号：20141617586098)、IC、INSPEC、JST、PUBMED、RCCSE、RSC、SCI(收录号：WOS:000337199900008)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000337199900008)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：半导体量子点（QDs）具有发光效率高和发光波长可调等特点。采用胶体CdSe QDs作电致发光器件的有源材料，TPD（N ，N′-biphenyl-N ，N′-bis-（3-methylphenyl）-1，1′-biphenyl-4，4′-diamine）作空穴传输层， ZnS作电子传输层，研究了有机/无机复合发光器件ITO/TPD/CdSe QDs/ZnS/Ag的电致发光特性。TPD和CdSe QDs薄膜采用旋涂方法、ZnS薄膜采用磁控溅射方法沉积，器件表面平整。CdSe QDs的光致发光和电致发光谱峰位波长均位于～580 nm ，属于量子点的带边激子发光。我们与以前的ITO/ZnS/CdSe QDs/ZnS/Ag发光器件结构进行了对比，发现新的器件结构的电致发光谱没有观察到QDs表面态的发光，而且新器件的发光强度是ITO/ZnS/CdSe QDs/ZnS/Ag结构的～10倍。发光效率的提高归因于碰撞激发与载流子注入两种发光机制并存的结果：一方面电子经过ZnS 层加速后，碰撞激发CdSe QDs发光；另一方面，空穴从T PD层注入CdSe QDs与QDs中激发的电子复合发光。我们进一步研究了ZnS电子加速层厚度对发光特性的影响，选择ZnS薄膜的厚度分别是80，120和160 nm ，发现随着ZnS层厚度增大，器件启亮电压升高， EL强度增大，但是击穿电压降低。EL峰位随着ZnS厚度的减小发生明显蓝移，对上述实验现象进行了机理解释。

关 键 词：CDSE量子点 电致发光 电子加速 有机  无机复合发光  

分 类 号：O482.3]