文献类型：期刊文章

作　　者：杨园静[1,2] 涂洁磊[1] 李雷[1,3] 姚丽[1,4]

机构地区：[1]云南师范大学太阳能研究所,可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,昆明650092 [2]文山学院信息科学学院,文山663000 [3]楚雄师范学院物理与电子科学系,楚雄675000 [4]大理学院电子工程及自动化系,大理671003

出　　处：《人工晶体学报》

基　　金：云南省科技计划重点项目(2009CC012);国家高技术发展计划(863计划)(2011AA050512)

年　　份：2014

卷　　号：43

期　　号：2

起止页码：461-464

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号：20141517560073)、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：InAs/GaAs量子点的生长形貌和特性受不同生长环境和生长条件影响。本文借助光致发光光谱(PL)特性表征方法,通过实验生长,对比研究不同生长温度下获得的量子点性能,结合当前三结叠层GaInP/GaAs/Ge(2-terminal)电池存在的问题,以及该电池的设计、制作要求,分析了InAs量子点的不同生长温度对于具有量子点结构的中电池吸收的影响。

关 键 词：INAS GaAs量子点  生长温度 三结叠层量子点电池  

分 类 号：TN304.2]