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金刚石切割多晶硅片切割痕性质与消除方法研究 ( EI收录)
Research of the Cutting Marks on Diamond Wire Cut Multicrystalline Silicon Wafers and the Method to Remove Them
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]南昌大学太阳能光伏学院,南昌330031
基 金:江西省光伏材料优势科技创新团队项目
年 份:2014
卷 号:43
期 号:2
起止页码:314-320
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号:20141517560048)、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:金刚石线锯切割多晶硅片表面存在两种尺度的切割痕纹:由锯线往复运动形成的周期在亚毫米尺度的往复纹,和由金刚石划出的宽度在微米尺度的划痕。金刚石切割硅片的微观粗糙度比砂浆切割硅片小~25%。金刚石切割硅片相对粗糙表观以及往复纹的呈现都来自于光滑划痕的视觉增强作用。酸刻蚀制绒不能消除金刚石切割硅片表面切割痕纹;碱刻蚀只能消除部分晶粒之上的切割痕纹。尝试了一种气相酸刻蚀方法,取得了彻底消除金刚石切割硅片表面切割痕纹的效果,同时获得了良好的制绒效果,但其均匀性有待改善。
关 键 词:金刚石线锯 多晶硅 切割痕 制绒
分 类 号:TK514]
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