文献类型：期刊文章

作　　者：雷天民[1] 吴胜宝[1] 张玉明[2] 郭辉[2] 陈德林[1] 张志勇[3]

机构地区：[1]西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院,西安710071 [2]西安电子科技大学微电子学院,西安710071 [3]西北大学信息科学与技术学院,西安710069

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家科技重大专项(批准号:2011ZX02707)资助的课题~~

年　　份：2014

卷　　号：63

期　　号：6

起止页码：241-248

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号：20141317524095)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000335390500035)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：为了研究稀土掺杂对单层MoS2电子结构的影响,文章基于密度泛函理论框架下的第一性原理,采用平面波赝势方法分别计算了本征及La,Ce,Nd掺杂单层MoS2的晶格参数、能带结构、态密度和差分电荷密度.计算发现,稀土掺杂所引起的晶格畸变与杂质原子的共价半径大小有关,La杂质附近的键长变化最大,Nd杂质附近的键长变化最小.能带结构分析表明,La掺杂可以在MoS2的禁带中引入3个能级,Ce掺杂可以形成6个新能级,Nd掺杂可以形成4个能级,并对杂质能级属性进行了初步分析.差分电荷密度分布显示,稀土掺杂可以使单层MoS2中的电子分布发生改变,尤其是f电子的存在会使差分电荷密度呈现出反差极大的物理图象.

关 键 词：第一性原理 二硫化钼  稀土掺杂 电子结构 MOS2

分 类 号：O483]